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[新聞] 應材推出精密3D晶片架構的離子植入技術
Jul 3rd 2014, 06:37, by epitaxial

作者epitaxial (磊晶)

看板Tech_Job

標題[新聞] 應材推出精密3D晶片架構的離子植入技術

時間Thu Jul 3 06:37:06 2014

半導體設備大廠美商應材公司今日宣布推出最先進的3D晶片架構的離子植入技術，將可提 升半導體20奈米以下的FinFET（鰭式場效電晶體）良率提升，預料將有助台積電20奈米及 16奈米良率提升，加速對營收貢獻。 應材表示，這項命名VIISta 900 3D系統是業界最先進的中電流離子植入機台，除應用製 造次20奈米以下的FinFET製程外，也可應用生產3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）。 應材強調，這套系統在精密材料工程設計方面採用多項創新技術，可提升元件效能、減少 變異性，並讓日漸複雜的高效能、高密度3D元件良率大幅增加，尤其對行動裝置產品所的 CMOS影像感測器中的發光二極體及邏輯元件結構，是最佳的製程選擇。 http://udn.com/NEWS/BREAKINGNEWS/BREAKINGNEWS6/8777006.shtml -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.37.136.6 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1404340628.A.641.html

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